| 专利名称 | 一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构 | 申请号 | CN201510947270.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105449017B | 公开（授权）日 | 20160330 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 马英杰;张永刚;顾溢;陈星佑 | 主分类号 | H01L31/0248 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构 至一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障