| 专利名称 | 一种WO3阵列-PtY-氧化锆基传感器及其制备方法 | 申请号 | CN201510047474.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104569095A | 公开（授权）日 | 20150429 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 冯涛;毛日华;谢冰星;孙霞;史王艳;王盼;吴健;吴莲莲;董梦云;粘洪强;徐兵;夏金峰;徐海芳;蒋丹宇 | 主分类号 | G01N27/26 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种WO3阵列-PtY-氧化锆基传感器及其制备方法 至一种WO3阵列-PtY-氧化锆基传感器及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障