| 专利名称 | 四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 | 申请号 | CN201310178543.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104152997B | 公开（授权）日 | 20141119 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘锦峰;许桂生;杨丹凤;刘莹 | 主分类号 | C30B29/22 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 至四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障