| 专利名称 | 采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 | 申请号 | CN201010157625.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101924022A | 公开（授权）日 | 20101222 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 马平;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | H01L21/205 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 至采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障