| 专利名称 | 单根一维纳米材料的测试电极的制作方法 | 申请号 | CN200410091205.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN100437120C | 公开（授权）日 | 20060531 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨海方;刘立伟;金爱子;顾长志;吕力 | 主分类号 | G01R1/06 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 单根一维纳米材料的测试电极的制作方法 至单根一维纳米材料的测试电极的制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
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3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障