| 专利名称 | 离子预嵌入二维层状材料构筑的插层电极及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201810951829.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109216648A | 公开（授权）日 | 20190115 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 张炳森;李浩杰;鲁铭;韩文娟 | 主分类号 | H01M4/04 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 离子预嵌入二维层状材料构筑的插层电极及其制备方法和应用 至离子预嵌入二维层状材料构筑的插层电极及其制备方法和应用 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障