| 专利名称 | 大面积表面增强拉曼活性基底的倾斜生长制备方法 | 申请号 | CN201310136482.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103274353A | 公开（授权）日 | 20130904 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 宋国峰;王立娜;胡海峰;徐云;韦欣 | 主分类号 | B81C1/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 大面积表面增强拉曼活性基底的倾斜生长制备方法 至大面积表面增强拉曼活性基底的倾斜生长制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障