| 专利名称 | 纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法 | 申请号 | CN201810143686.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108364910A | 公开（授权）日 | 20180803 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;周娜;李俊峰;洪培真;许高博;孟令款;贺晓彬;陈大鹏;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/8238 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法 至纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障