| 专利名称 | p型掺杂CuCrO2基稀磁半导体材料及其制备方法 | 申请号 | CN200810156784.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101488387A | 公开（授权）日 | 20090722 | 申请（专利权）人 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 李达;方晓东;邓赞红;董伟伟;陶汝华 | 主分类号 | H01F1/40 | IPC主分类号 | 专利有效期 | p型掺杂CuCrO2基稀磁半导体材料及其制备方法 至p型掺杂CuCrO2基稀磁半导体材料及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障