| 专利名称 | 用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺 | 申请号 | CN00112333.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1278018A | 公开（授权）日 | 20001227 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 李建刚;赵燕平;罗家融;万宝年;龚先祖;李成富;辜学茂;王小明;罗南昌;李生发;胡建生 | 主分类号 | C23C14/32 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺 至用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障