| 专利名称 | 改善Ⅲ族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件 | 申请号 | CN201710212313.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108695156A | 公开（授权）日 | 20181023 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 李夏珺;张宝顺;蔡勇;于国浩;付凯;张志利;孙世闯;宋亮 | 主分类号 | H01L21/335 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 改善Ⅲ族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件 至改善Ⅲ族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障