| 专利名称 | 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法 | 申请号 | CN201510881248.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105390612A | 公开（授权）日 | 20160309 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 付英春;马刘红;杨富华;王晓峰;周亚玲;杨香;王晓东 | 主分类号 | H01L45/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法 至基于锥形衬底的相变存储器的制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障