| 专利名称 | 制作微纳米柱发光二极管的方法 | 申请号 | CN201210579602.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103022300A | 公开（授权）日 | 20130403 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 安铁雷;孙波;孔庆峰;魏同波;段瑞飞 | 主分类号 | H01L33/20 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 制作微纳米柱发光二极管的方法 至制作微纳米柱发光二极管的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障