| 专利名称 | 一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路 | 申请号 | CN201811406131.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109559773A | 公开（授权）日 | 20190402 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 龚正辉;董业民;杨文伟;陈晓杰 | 主分类号 | G11C11/413 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路 至一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障