| 专利名称 | 具有正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201310529501.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104600191B | 公开（授权）日 | 20150506 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 赵莹莹;胡凤霞;王晶;匡皓;王栓虎;孙继荣;沈保根 | 主分类号 | H01L43/10 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 具有正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途 至具有正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障