| 专利名称 | 一种在低温下制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法 | 申请号 | CN201110272837.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103000297A | 公开（授权）日 | 20130327 | 申请（专利权）人 | 中国科学院生态环境研究中心 | 发明（设计）人 | 郭良宏;刘阳 | 主分类号 | H01B13/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种在低温下制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法 至一种在低温下制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障