| 专利名称 | 金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法 | 申请号 | CN200710040427.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN100494486C | 公开（授权）日 | 20071205 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 林辉;周圣明;顾书林;张荣;杨卫桥 | 主分类号 | C23C16/40 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法 至金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障