| 专利名称 | InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法 | 申请号 | CN201910115508.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109888069A | 公开（授权）日 | 20190614 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 | 发明（设计）人 | 邢瑶;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;朱建军 | 主分类号 | H01L33/06 | IPC主分类号 | 专利有效期 | InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法 至InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障