| 专利名称 | Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 | 申请号 | CN201110185833.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102351236A | 公开（授权）日 | 20120215 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵婧;刘喆;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | C01G3/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 至Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障