| 专利名称 | Mg－Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 | 申请号 | CN200610003121.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101022141A | 公开（授权）日 | 20070822 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王鹏;陈诺夫;尹志岗 | 主分类号 | H01L33/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | Mg－Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 至Mg－Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障