| 专利名称 | 氧化锆/氧化硅系高抗激光损伤高反膜的制备方法 | 申请号 | CN98124659.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1084481C | 公开（授权）日 | 20000517 | 申请（专利权）人 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 发明（设计）人 | 孙予罕;吴东;范文浩;徐耀;孙继红 | 主分类号 | G02B1/10 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 氧化锆/氧化硅系高抗激光损伤高反膜的制备方法 至氧化锆/氧化硅系高抗激光损伤高反膜的制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障