| 专利名称 | 一种硅基太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201710338564.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108899374A | 公开（授权）日 | 2018.11.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙恒超;贾锐;陶科;姜帅 | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅基太阳能电池及其制备方法 至一种硅基太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种硅基太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括：硅衬底，在硅衬底的正面形成有PN结；在PN结的上方依次形成有隧穿层、石墨烯层、重掺非晶硅层、减反射层和正面电极；正面电极穿透减反射层与重掺非晶硅层直接接触；在硅衬底的背面形成有背面电极。该太阳能电池中利用石墨烯作为一种导电材料应用于太阳能电池中，利用石墨烯的高透光性和高载流子迁移率，提高了硅太阳电池的填充因子、转化效率。同时，该石墨烯层所结合的遂穿层能够起到钝化作用，并且结合重掺非晶硅层可以形成高低结以实现载流子输运，从而进一步提高了硅基太阳能电池的转换效率。 |
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