| 专利名称 | 二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201710103439.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108498858A | 公开（授权）日 | 2018.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 吴成铁;王小成;常江;金晓刚 | 主分类号 | A61L27/10(2006.01)I | IPC主分类号 | A61L27/10(2006.01)I;A61L27/30(2006.01)I;A61L27/50(2006.01)I;A61L27/54(2006.01)I;A61K41/00(2006.01)I | 专利有效期 | 二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架及其制备方法和应用 至二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架及其制备方法和应用，该二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架包括镁黄长石生物活性陶瓷支架和原位生长于所述镁黄长石生物活性陶瓷支架表面的二硫化钼纳米片。本发明的二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架有望作为兼具修复组织缺损和治疗肿瘤的多功能植入材料用于临床应用。 |
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