| 专利名称 | 电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法 | 申请号 | CN201810178924.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108242763A | 公开（授权）日 | 2018.07.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 黄永光;张瑞康;王宝军;朱洪亮 | 主分类号 | H01S5/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/06(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I | 专利有效期 | 电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法 至电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种电吸收调制激光器(EML)集成器件的整片结构及其制作测试方法，属于半导体光电子领域，EML集成器件整片结构为格栅构造，在晶圆上外延生长激光器的多量子阱(MQW)和调制器的MQW，EML器件单元包括激光器MQW和调制器MQW而阵列排布；围绕EML器件单元设置沟槽结构，其侧壁面为镜面而其底部为减反射面；在EML器件单元的前/后端面分别形成有减/高反射介质膜，该前/后端面为调制器MQW/激光器MQW一侧的端面。本整片结构在测试时，不需要巴条解理，利用沟槽侧壁镜面和沟槽底部减反射面的组合(进一步减/高反射介质膜与减反射面的组合)，实现该EML器件单元的有效出光，不仅使测试数据诊断和收集更快捷，而且降低EML集成器件制作成本。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障