| 专利名称 | 一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法 | 申请号 | CN201611206295.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108242395A | 公开（授权）日 | 2018.07.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 徐小科;李效民;高相东 | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/268(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法 至一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法，所述铌镁钛酸铅薄膜的复合化学式为(1?x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3?xPbTiO3，其中0＜x＜1，制备方法包括：（1）以铌镁钛酸铅陶瓷为靶材、以（0002）取向的氮化镓薄膜为衬底，控制衬底升温至700～850℃，通入氧气并调整氧气气压为0.5～10Pa；（2）将激光能量调节至2～6mJ/cm2，先以分段增加激光频率的方式在所述（0002）取向的氮化镓衬底上沉积缓冲层，再在5～10Hz的激光频率下沉积1～3小时后原位退火，得到所述铌镁钛酸铅薄膜。本发明填补了该领域内的空白，所采用的沉积手段简单易行。 |
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