| 专利名称 | 一种GaP纳米线及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201711083349.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107858754A | 公开（授权）日 | 2018.03.30 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 董泽健;宫建茹 | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I;C30B23/08(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种GaP纳米线及其制备方法和用途 至一种GaP纳米线及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种GaP纳米线及其制备方法和用途。GaP纳米线的制备方法为：1)在导电基底上覆盖催化剂；2)将GaP粉末装入容器中；3)将导电基底和容器置于两端开口的石英管两侧，放到双温区管式炉中；4)对双温区管式炉抽真空，通保护气，加热，使第一温区升温至930℃?1000℃，第二温区升温至620℃?650℃，保温，得GaP纳米线。本发明还提供一种GaP/GaPN核壳纳米线，其制备方法为：将GaP纳米线置于两端开口的石英管中，放到反应炉中，抽真空，通入保护气，加热反应炉，升温至720℃?800℃，停止抽真空并停止通入保护气，通入氨气，保温，得到核壳纳米线。本发明提供的纳米线作为光电极。 |
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