| 专利名称 | 一种二硒化铂面内拼图结构材料及其制备与调制方法 | 申请号 | CN201610324477.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107720838A | 公开（授权）日 | 2018.02.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王业亮;邵岩;武旭;朱诗雨;王裕祺;刘中流;高鸿钧 | 主分类号 | C01G55/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G55/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二硒化铂面内拼图结构材料及其制备与调制方法 至一种二硒化铂面内拼图结构材料及其制备与调制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种二硒化铂(PtSe2)面内拼图结构材料，所述的二硒化铂(PtSe2)面内拼图结构材料同时包含两种构型：三棱柱型构型(H型)和八面体型构型(T型)，且所述的三棱柱型构型(H型)和八面体型构型(T型)均形成三角形的结构域，且所述的三棱柱型构型(H型)所形成的结构域与所述的八面体型构型(T型)所形成的结构域在基底表面相互交替并周期性扩展。本发明通过分子束外延方法生长出了大面积由二维二硒化铂晶态材料两种构型组成的面内拼图结构，并可对其进行调制，大大方便了进一步研究二维二硒化铂晶态材料在纳米电子器件方面的应用开发。 |
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