| 专利名称 | 一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201710414310.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107354509A | 公开（授权）日 | 2017.11.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 | 发明（设计）人 | 陈俊锋;杜勇;王绍华;孙世允;周学农;李翔 | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/02(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B28/10(2006.01)I;G01T1/202(2006.01)I | 专利有效期 | 一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用 至一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用，所述掺钇氟化钡晶体的化学组成为Ba(1?x)YxF2+x，其中0.01≤x≤0.50。本发明的BaF2晶体闪烁性能得到改善，钇掺杂可以极大地抑制BaF2晶体的慢发光分量，具有优异的快/慢闪烁分量比，该掺杂晶体与光探测器耦合制作成闪烁探头，适用于高能物理、核物理、超高速成像和核医学成像等高时间分辨辐射领域。 |
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