| 专利名称 | 纳米线结构的制作方法 | 申请号 | CN201710453059.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107342312A | 公开（授权）日 | 2017.11.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李俊杰;崔虎山;朱慧珑;赵超 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 纳米线结构的制作方法 至纳米线结构的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请提供了一种纳米线结构的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供一个衬底，并在衬底上形成依次远离衬底的第一半导体材料部与掩膜部；步骤S2，对第一半导体材料部进行表面处理，使得第一半导体材料部的表面部分形成第一表层；步骤S3，刻蚀去除第一表层，去除第一表层的速率与去除衬底的速率之比在大于10；重复步骤S2至步骤S3，直到第一半导体材料部形成纳米线。该制作方法实现了自限制刻蚀，保证了在刻蚀的过程中对衬底造成的损伤较小；之后再进行表面处理，然后在再刻蚀，直到形成预定尺寸的纳米线结构，且形成的纳米线尺寸的重复性和均匀性较好。 |
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