| 专利名称 | 集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器 | 申请号 | CN201811363372.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109283236A | 公开（授权）日 | 2019.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王栎皓;朱银芳;赵俊元;杨晋玲;杨富华 | 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/414(2006.01)I | 专利有效期 | 集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器 至集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本公开提供了一种集成CMOS?MEMS的高灵敏谐振式传感器，包括：微流道谐振腔、MEMS悬臂梁结构、惠斯通电桥检测电路、CMOS信号处理电路；谐振式传感器集成了MEMS悬臂梁结构和CMOS信号处理电路，惠斯通电桥检测电路输出信号在CMOS信号处理电路内闭环传递并激励MEMS悬臂梁结构谐振；通过获取MEMS悬臂梁结构在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量。本公开具有CMOS?MEMS集成度高、灵敏度高、可大规模制作等特点，相比于同类MEMS器件和电路模块，占用面积减少了近90％，因此，非常适用于便携式检测，尤其是可穿戴系统，能够广泛应用于生物医疗、食品安全、化学化工、航天国防等领域。 |
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