| 专利名称 | 制备阻性气体电子倍增器薄膜的方法和阻性气体电子倍增器薄膜 | 申请号 | CN201810957329.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109148253A | 公开（授权）日 | 2019.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 周意;王旭;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;吕游;邵明 | 主分类号 | H01J47/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J47/02(2006.01)I;G01N27/12(2006.01)I | 专利有效期 | 制备阻性气体电子倍增器薄膜的方法和阻性气体电子倍增器薄膜 至制备阻性气体电子倍增器薄膜的方法和阻性气体电子倍增器薄膜 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于制备阻性气体电子倍增器薄膜的方法，其可以形成包含依次层叠的第一类金刚石碳层、聚酰亚胺系薄膜和第二类金刚石碳层并且具有通孔阵列的阻性气体电子倍增器薄膜。该方法包括使用保护层、喷砂处理和湿法刻蚀的组合形成通孔。本发明的方法形成的包含类金刚石碳层的阻性气体电子倍增器薄膜缺陷少，性能稳定。本发明还提供了气体电子倍增器薄膜和气体电子倍增器。 |
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