| 专利名称 | 一种半导体激光器 | 申请号 | CN201811197771.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109193342A | 公开（授权）日 | 2019.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 王小军;宗楠;彭钦军;许祖彦;杨晶 | 主分类号 | H01S5/30(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/30(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体激光器 至一种半导体激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器，包括一个或多个半导体芯片(1?1)，每个所述半导体芯片(1?1)的发光单元(1?11)的增益区(1?11A)的沿慢轴方向的长度为1mm～10cm；激光谐振腔，用于调整所述发光单元(1?11)发射出的半导体激光使其在慢轴方向形成谐振，使所述发光单元(1?11)的增益区(1?11A)在慢轴方向的尺寸与基模光斑半径ω0相匹配；快轴准直元件(FAC)，设置在所述激光谐振腔内，用于对所述发光单元(1?11)发射的激光在快轴方向准直。本发明实施方式提供的半导体激光器，一方面能够提高增益区高功率的输出能力，另一方面又改善了光束质量，可实现M2<2的高光束质量输出。 |
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