| 专利名称 | 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 | 申请号 | CN201810791167.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109182998A | 公开（授权）日 | 2019.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 郭俊江;彭波;郭海涛;许彦涛;朱香平;曹伟伟;邹永星;陆敏 | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 至一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法，高阻薄膜是通过原子层沉积方法在微通道板内壁进行不同组分材料沉积来获得Ni掺杂Al2O3的高阻薄膜的，沉积时，在一个大循环中，通过控制Al2O3沉积次数与Ni沉积次数，以控制Ni掺杂比例，从而可在106?1010Ω·cm范围内精确调控薄膜的电阻率；通过控制大循环的循环次数控制薄膜的厚度。所制备的薄膜在高温工作环境下或高温退火后，电阻率基本保持恒定，解决了现有微通道板表面薄膜在高温条件下电阻率变化大导致微通道板性能不稳定的技术问题。 |
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