| 专利名称 | 一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法 | 申请号 | CN201810726543.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108878604A | 公开（授权）日 | 2018.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 闫建昌;张亮;郭亚楠;吴清清;王军喜 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 专利有效期 | 一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法 至一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种垂直结构的发光二极管(LED)芯片的制备方法，该方法主要是通过电化学或光电化学腐蚀或光辅助电化学腐蚀的方法将LED外延层中的牺牲层腐蚀成多孔结构，使得牺牲层上下外延层之间的结合强度变得非常弱，能够很容易的剥离掉。相较激光剥离的方法制备的垂直结构的LED，本方法能够避免激光烧灼导致的外延层材料质量变差，以及良率较低的问题。 |
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