| 专利名称 | 衬底、半导体器件及衬底制作方法 | 申请号 | CN201710317803.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108878595A | 公开（授权）日 | 2018.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 李雪威;张纪才;王建峰;徐科 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I | 专利有效期 | 衬底、半导体器件及衬底制作方法 至衬底、半导体器件及衬底制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种衬底、半导体器件及衬底制作方法，该衬底包括蓝宝石衬底、以及形成于蓝宝石衬底上的图形化的AlN薄膜。该半导体器件包括所述的衬底、以及形成于所述衬底上的外延层。衬底的制作方法包括：先蒸镀掩膜材料，然后再进行干法刻蚀掩膜，再通过湿法腐蚀AlN，最后在除去掩膜材料，从而形成图形化AlN薄膜的方法。本发明使用常规的工艺，就可以在AlN/蓝宝石模板上制备出图形化的AlN薄膜。使用的是干法刻蚀与湿法腐蚀结合的方法，既保证刻蚀精度又保证刻蚀速率。对于制备工艺的要求十分简单，且测试手段方便。本发明使用了在AlN/蓝宝石模板上通过刻蚀AlN，制备AlN薄膜上周期性的图形，从而达到提高晶体生长质量，提高器件效率的目的。 |
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