一种阻变存储器的设计方法及装置

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专利名称 一种阻变存储器的设计方法及装置 申请号 CN201810508704.8 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN108807456A 公开(授权)日 2018.11.13 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 卢年端;李泠;刘明;刘琦 主分类号 H01L27/24(2006.01)I IPC主分类号 H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I 专利有效期 一种阻变存储器的设计方法及装置 至一种阻变存储器的设计方法及装置 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提供了一种阻变存储器的设计方法及装置,方法包括:接收预设的阻变材料的第一参数标准,基于所述第一参数标准搜索并输出第一阻变材料,第一参数包括:带隙、电荷转移、空位、迁移势垒、载流子激活能、肖特基势垒及中间相数量;根据第一阻变材料建立阻变材料数据库;接收阻变存储器器件模型的第二参数标准,根据第二参数标准从阻变材料数据库中筛选出第二阻变材料,所述第二参数包括:所述器件模型的开启电压、写入电压、擦除电压、擦写速度、功耗、存储窗口、稳定性、耐久性、开关比、电流参数的离散性及存储密度;利用所述第二阻变材料、相应的电极材料及预设的存储结构设计所述阻变存储器。

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