| 专利名称 | 一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201810584597.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108531877A | 公开（授权）日 | 2018.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 马永胜 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜及其制备方法 至一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜，包括Ti、Zr、V、Hf四种元素且原子个数比为(0.9～1.1):(0.9～1.1):(0.9～1.1):(0.9～1.1)；TiZrVHf四元吸气剂薄膜包括依次在基体管道内壁生长的致密层和柱状层，致密层为薄膜表面平整，在电子显微镜下无明显晶粒的结构；柱状层为薄膜表面粗糙，在电子显微镜下具有明显晶粒的结构，柱状层具有较大表面积，具有较大的吸气面积，使得单位基体管道面积的抽气速率显著增加。本发明属于吸气剂薄膜技术领域，该TiZrVHf四元吸气剂薄膜能够在低温下激活，具有较强附着力和较长使用寿命，能够有效提高粒子加速器真空度，降低二次电子发射系数。 |
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