| 专利名称 | 一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜制备方法 | 申请号 | CN201810354452.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108550450A | 公开（授权）日 | 2018.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 孔雯雯;王倩;常爱民;姚金城 | 主分类号 | H01C7/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01C7/04(2006.01)I;H01C17/075(2006.01)I;H01C17/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜制备方法 至一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜的制备方法，该方法首先在硅衬底表面制备绝热缓冲层；然后再绝热缓冲层表面制备二氧化硅绝缘层；最后在二氧化硅绝缘层表面制备热敏薄膜，即得到具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜。其中所述的绝热缓冲层是在硅片表面生长硅柱、硅球或硅棒，从而形成具有不同结构特点的多孔硅基结构，利用孔隙内部储存的空气，实现热敏薄膜与硅衬底之间热绝缘的作用，使得热敏薄膜整体热容量和热耗散减小，加快热敏电阻的响应时间，可被研制成具有快响应特点的微型热敏电阻器，非常适用于快响应温度监测领域。 |
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