| 专利名称 | 固态氢靶系统和使用它的激光离子源 | 申请号 | CN201810243546.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108511314A | 公开（授权）日 | 2018.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院近代物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙良亭;赵环昱;沈叮叮;张俊杰 | 主分类号 | H01J49/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J49/10(2006.01)I;H01J49/06(2006.01)I;A61N5/10(2006.01)I | 专利有效期 | 固态氢靶系统和使用它的激光离子源 至固态氢靶系统和使用它的激光离子源 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了固态氢靶系统及使用它的激光离子源，该固态氢靶系统包括：气体固化基座；气体固化坑，其作为冷冻靶位于气体固化基座的中央部；吸附罩，其围绕着气体固化基座，且该吸附罩的内表面粘贴有活性炭；其中，在固态氢靶系统所在的真空腔室为基础真空度的状态下，当从正对着气体固化坑的喷嘴即氢气出气口喷出预冷的氢气，该氢气立刻在冷冻靶凝结沉积而形成固体氢靶，对固态氢靶的靶面进行激光打靶，所气化的氢气由活性炭快速吸收，由此，有效维持了真空腔室的基础真空度，保证了激光打靶重复率，而使质子产生稳定性提高。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障