| 专利名称 | CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法 | 申请号 | CN201810096680.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108511392A | 公开（授权）日 | 2018.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;姚佳欣;王文武;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法 至CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法。该方法包括以下步骤：S1，提供衬底，衬底包括NMOS区域和PMOS区域，NMOS区域至少具有第一鳍片和第二鳍片，PMOS区域至少具有第三鳍片和第四鳍片；S2，在衬底上顺序形成第一阻挡层和第一功函数层，第一阻挡层覆盖于NMOS区域和PMOS区域之上，第一功函数层位于第一阻挡层的不与第一鳍片和第二鳍片对应的表面上；S3，顺序形成第二功函数层和第二阻挡层，第二功函数层覆盖第一阻挡层和第一功函数层设置，第二阻挡层覆盖第二功函数层设置，第二阻挡层对应第一鳍片和第二鳍片的位置具有不同厚度，且第二阻挡层对应第三鳍片和第四鳍片的位置具有不同厚度。 |
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