| 专利名称 | 光电阴极及其制备方法 | 申请号 | CN201810512769.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108470664A | 公开（授权）日 | 2018.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 刘燕文;田宏;李芬;石文奇;朱虹;谷兵 | 主分类号 | H01J1/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/34(2006.01)I;H01J9/12(2006.01)I | 专利有效期 | 光电阴极及其制备方法 至光电阴极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本公开提供一种光电阴极，包括：光电阴极基体；金属纳米粒子薄膜，沉积在所述光电阴极基体上；以及锑碱金属化合物，制备在金属纳米粒子薄膜上；还提供一种所述光电阴极制备方法包括：1.在光电阴极基体表面沉积一层金属纳米粒子薄膜；2.利用加热体对沉积有金属纳米粒子薄膜的光电阴极基体加热，使其在800℃以上温度充分除气；3.通过加热体加热使锑源中锑蒸发到所制成的所述金属纳米粒子薄膜的表面形成锑膜；以及4.通过加热体加热碱金属源与还原剂，同时通过加热体加热光电阴极基体，使生成的碱金属蒸汽射向光电阴极基体上与步骤3所生成的锑膜反应，制成光电阴极，缓解锑碱金属化合物光电阴极在强光作用下碱金属蒸发问题，提高光电阴极量子效率。 |
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