| 专利名称 | 用于碳化硅光学镜面改性与面形提升的磁控溅射扫描方法 | 申请号 | CN201810144019.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108468029A | 公开（授权）日 | 2018.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所 | 发明（设计）人 | 王晋峰;黄猛;田杰;王烨儒 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 专利有效期 | 用于碳化硅光学镜面改性与面形提升的磁控溅射扫描方法 至用于碳化硅光学镜面改性与面形提升的磁控溅射扫描方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 碳化硅光学镜面改性层制备与面形改进提升的磁控溅射扫描方法：⑴.待改性的碳化硅平面镜，首先采用传统抛光方法或CCOS数控加工方法，利用金刚石微粉对非球面碳化硅反射镜进行研磨和粗抛光；⑵.当碳化硅反射镜面形精度符合改性要求后，利用长条形磁控溅射源在碳化硅镜面表面沉积一层致密的Si改性层；⑶.再利用圆形溅射源对反射镜面形加以修正和改进；⑷.最后对改性层进行精抛光，达到反射镜面形与粗糙度加工要求。本发明解决了碳化硅镜面加工中对改性层厚度把控不适宜而出现的返工问题。本发明方法制作的碳化硅光学镜面，粗糙度可达0.2～0.5ｎｍ，用时可缩短至1.5?3个月。本发明工艺简单，加工效率和质量明显提高。 |
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