| 专利名称 | Ga2S3单晶的制备方法、铁电材料、压电器件及热电器件用 | 申请号 | CN201810338037.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108441964A | 公开（授权）日 | 2018.08.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 刘彬文;郭国聪;王国强;姜小明;曾卉一;徐忠宁;王观娥 | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B11/02(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I | 专利有效期 | Ga2S3单晶的制备方法、铁电材料、压电器件及热电器件用 至Ga2S3单晶的制备方法、铁电材料、压电器件及热电器件用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种铁电单晶的制备方法，将含有Ga2S3粉末的原料在真空条件下进行加热，高温保温，然后以0.1～100℃/天的速率降温进行晶体的生长，得到所述Ga2S3单晶。该铁电单晶材料在室温条件下2Hz的测试频率下，剩余极化强度(Pr)为0.18μC/cm2；该材料为二元相，合成简单；热稳定性能好。综合性能优良，是潜在的铁电材料。 |
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