| 专利名称 | 光电探测器 | 申请号 | CN201810162647.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108447938A | 公开（授权）日 | 2018.08.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘道群;李志华;唐波;张鹏;李彬 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 光电探测器 至光电探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请提供了一种光电探测器。该光电探测器包括：衬底硅层；掩埋二氧化硅层，位于衬底硅层的部分表面上；顶层硅层，位于掩埋二氧化硅层的表面上，部分衬底硅层、掩埋二氧化硅层和顶层硅层形成光耦合区和波导区，光耦合区中的顶层硅层具有耦合光栅；P型轻掺杂层，位于衬底硅层的未设置有掩埋二氧化硅层的表面上，P型轻掺杂层的材料包括第一本征半导体材料；光电转化层，位于P型轻掺杂层的远离衬底硅层的表面上，光电转化层具有本征区、P型区与N型区，光电转化层的材料包括第二本征半导体材料，第一本征半导体材料与第二本征半导体材料相同。该光电探测器的暗电流较小。 |
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