| 专利名称 | 一种控制IN718合金均匀析出δ相的热处理方法 | 申请号 | CN201810126648.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108385045A | 公开（授权）日 | 2018.08.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 孙明月;胡鑫;张健杨;徐斌;刘生;刘朝晖;李殿中 | 主分类号 | C22F1/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C22F1/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种控制IN718合金均匀析出δ相的热处理方法 至一种控制IN718合金均匀析出δ相的热处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及高温合金的热加工领域，具体为一种控制IN718合金均匀析出δ相的热处理方法。该方法包括下述工艺步骤：1)将待处理的IN718合金在1020℃以上保温，然后水冷至室温。2)将步骤1)处理的合金在700～900℃保温。3)将步骤2)处理的合金在900～1000℃保温，然后空冷至室温，既得。本发明通过改变δ相的析出方式——由从奥氏体中直接析出改变为先析出γ″相，由γ″相转变为δ相，这种析出方式使δ相相均匀分布在晶内和晶界，改善δ相在晶界处的偏聚。 |
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