| 专利名称 | 可见-短波红外探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201710062991.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108346713A | 公开（授权）日 | 2018.07.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑军;成步文;王启明 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 专利有效期 | 可见-短波红外探测器及其制备方法 至可见-短波红外探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种可见?短波红外探测器及其制备方法，该制备方法包括：在硅衬底背面形成硅可见光探测器的P型和N型掺杂区域；在所述P型和N型掺杂区域上形成保护层；在硅衬底正面外延生长锗锡红外光探测器的锗锡光吸收层；去除所述P型和N型掺杂区域上的保护层，完成制作所述硅可见光探测器和锗锡红外光探测器。本发明不仅可以利用传统Si?CMOS工艺成本低廉、高可靠性等优势，还可以实现真正意义上的光电探测器的单片集成。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障