| 专利名称 | 一种高性能基准电压源及其实现方法 | 申请号 | CN201810164496.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108334144A | 公开（授权）日 | 2018.07.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 梅年松;赵金强;张钊锋 | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高性能基准电压源及其实现方法 至一种高性能基准电压源及其实现方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高性能基准电压源及其实现方法，该基准电压源包括：正温度系数PTAT电流产生电路，用于产生一正温度系数的电流I0；偏置电路，用于将镜像恒流源的各PMOS管的栅极电压稳定在设计值；镜像恒流源，用于为所述正温度系数PTAT电流产生电路提供电流I0并将该电流向电流电压转换电路输出；负温度系数CTAT电压产生电路，用于将所述正温度系数PTAT电流产生电路的一三极管的基极发射极电压按比例产生一负温度系数CTAT电流I1输出至电流电压转换电路；电流电压转换电路，用于将所述正温度系数的电流I0转换为正温度系数的电压，并将负温度系数CTAT电流转换为负温度系数的电压，将两个电压叠加得到基准电压。 |
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