| 专利名称 | 一种平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法 | 申请号 | CN201810110030.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108315702A | 公开（授权）日 | 2018.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘海;高劲松;王笑夷;刘震 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 专利有效期 | 一种平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法 至一种平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供的平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法，在溅射阴极和工件盘之间增加具有孔阵列的挡板，孔阵列在不同位置设置不同的孔径，改变一定等离子体刻蚀速率时的有效沉积面积，达到对等离子体在工件表面投影面积大小的精确控制，能快速、精确的实现磁控溅射膜厚均匀性的修正，实现对沉积区域膜厚均匀性的调整。 |
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