| 专利名称 | 铜硒基固溶体热电材料及其制备方法 | 申请号 | CN201611220103.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108238796A | 公开（授权）日 | 2018.07.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 史迅;赵琨鹏;陈立东 | 主分类号 | C04B35/547(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/547(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;C04B35/653(2006.01)I;C01B19/00(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I | 专利有效期 | 铜硒基固溶体热电材料及其制备方法 至铜硒基固溶体热电材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及铜硒基固溶体热电材料及其制备方法，所述铜硒基固溶体热电材料为p型热电化合物，在室温下为六方结构，其通式为Cu2?xSe1?y?zSyTez或Cu2?xAgxSe1?y?zSyTez，其中0.01≤x≤0.15，0.1≤y≤0.8，0.1≤z≤0.8，且y+z≤0.9。本发明通过铜硒基化合物（Cu2Se、Cu2Te、Cu2S）之间的相互固溶改变阴阳离子之间的键能，从而改变铜空位的含量，进而调控体系的载流子浓度，得到较佳的功率因子（PF）。 |
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