| 专利名称 | 半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法 | 申请号 | CN201611199810.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108231950A | 公开（授权）日 | 2018.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 刘东方;张伟;曾煌;王聪;李纪周;陈小源;鲁林峰 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法 至半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法，其中，所述半导体同质衬底的制备方法至少包括如下步骤：提供一母衬底；于所述母衬底表面形成至少由若干个周期结构单元组成的周期结构；于所述母衬底及周期结构表面形成用于实现选择性外延生长的外延阻挡层；于每个所述周期结构单元的顶部选择性去除外延阻挡层对应形成外突型籽晶，从而形成至少由若干个所述外突型籽晶构成的籽晶阵列，最终得到所述半导体同质衬底。利用本发明的可重复使用的半导体同质衬底实行同质外延生长，直接获得可剥离转移的、厚度可控的同质外延层。该技术可以避免传统的单晶晶锭提拉和切片过程，从而实现低成本、高材料利用效率制作同质外延晶片。 |
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